NanoIntegris半導體性單壁碳管99.9%固體

產(chǎn)品名稱

中文名稱：NanoIntegris 半導體性單壁碳納米管99.9%片狀固體

英文名稱：NanoIntegris IsoNanotubes-S 99.9%Pure Semiconducting SWNT Thick Film

產(chǎn)品概述

NanoIntegris 提供的半導體性單壁碳納米管是通過對電弧法制備的單壁碳管分離得到的，相比原始的單壁碳管，金屬雜質含量低。分散液中有約5%碘元素，源于殘留的碘二醇，純的粉末中沒有碘二醇。

技術參數(shù)

直徑：1.2nm-1.7nm

長度：300nm-5μm

金屬雜質：<1%

無定型碳：1-5%

產(chǎn)品特點

帶隙特性：具有一定的能帶帶隙，這使得它們在電學上表現(xiàn)出半導體特性，可用于制造場效應晶體管（FET）等半導體器件。帶隙大小取決于碳納米管的直徑和手性。

載流子傳輸：電子和空穴是其主要的載流子，載流子遷移率較高，能夠實現(xiàn)高速的電荷傳輸。

光吸收和發(fā)射：具有的光吸收和光發(fā)射特性，在近紅外到可見光區(qū)域有吸收峰，并且在一定條件下可以發(fā)光

應用

集成電路：由于其小尺寸和高性能，有潛力用于未來的集成電路制造，以實現(xiàn)更高的集成度和性能。 

傳感器：可以用于制造化學傳感器、生物傳感器等，利用其電學特性對目標分子或生物分子的吸附導致的電導變化來進行檢測。

光電領域：應用于光電探測器、發(fā)光二極管（LED）等光電器件。例如，基于半導體性單壁碳納米管的光電探測器具有高靈敏度和快速響應的特點 為了獲得高純度的半導體性單壁碳納米管，通常需要采用一些分離和提純的方法，如密度梯度超離心法、選擇性化學反應法等。

使用說明

存放在陰涼干燥，通風良好的地方，遠離高溫與火源。